Hace ya algún tiempo la empresa coreana Samsung estaba
anunciando, el desarrollo de la primer memoria RAM con tecnología de 30nm, según
la empresa los circuitos que forman
parte de este nuevo tipo de memorias ayudan a incrementar la productividad del
dispositivo y a reducir su consumo hasta en 60% en comparación con la anterior
gama de memorias DDR3 de 40nm.
Dicho nuevo modelo de memorias está en proceso de producción
masiva para el último semestre de este año. Con esto Samsung reafirma su
importancia en la industria tomando en cuenta que esta empresa ha sido la que
ha desarrollado los módulos DDR, DDR2 y DDR3 por primera vez a lo largo de los
años.
Pues de por si con la “reciente” introducción de la tecnología
DDR3 la cual no va mas allá de unos 3 años, y tomando en cuenta esta nueva
noticia del cambio a tecnología de 30nm, Samsung nos asombro una vez más con la
noticia de que ya desarrollaron la primer memoria DDR4 del mercado usando la tecnología de 30nm.
De entre sus características más relevantes tenemos
velocidades de transferencia de 2.133 Gbps, usando solo 1.2v, a diferencia de
los módulos DDR3 de 30nm que requieren de 1.5v para funcionar, tomando en
cuenta que las mencionadas DDR3 de 30nm son nuevas en el mercado.
Las nuevas DDR4 ya fueron probadas y siguen en proceso de
desarrollo. Su llegada al mercado aun no está anunciado sin embargo el hecho de
que la tecnología ya esté siendo desarrollada y probada indica que no tardaran
mucho en ser comerciales, y si esto no fuera suficiente Samsung anuncio de
igual manera que la manufactura de estas nuevas memorias no se quedara atrás y
se pretende sean fabricadas con tecnología de 20nm en capacidades de hasta 32GB
por modulo, bastante impresionante.
